بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل | ||
| مهندسی مکانیک مدرس | ||
| Article 5, Volume 13, Issue 14, 1392, Pages 43-55 PDF (2.42 M) | ||
| Authors | ||
| رضا نوری1; مفید گرجی بندپی* 2; داوود دومیری گنجی3 | ||
| 1دانشجوی دانشگاه نوشیروانی یابل | ||
| 2استاد- عضو هیات علمی | ||
| 3دانشیار-عضو هیات علمی | ||
| Abstract | ||
| در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی ، درصد حجمی نانوسیال ،عدد بی بعد هارتمن و عدد بی بعد رینولدز در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می دهند با افزایش تمام پارامترهای ذکر شده، عدد ناسلت افزایش می یابد. درصد حجمی نانوسیال، بیشتر بر مقادیر ماکزیمم ناسلت محلی در هر طول موج کانال و مقادیر هارتمن، هم بر مینیمم و هم بر ماکزیمم مقدار ناسلت محلی ،تاثیر گذار هستند. | ||
| Keywords | ||
| مگنتوهیدرودینامیک; نانوسیال; میدان مغناطیسی; انتقال حرارت; کانال سینوسی | ||
|
Statistics Article View: 3,182 PDF Download: 4,157 |
||
| Number of Journals | 45 |
| Number of Issues | 2,171 |
| Number of Articles | 24,674 |
| Article View | 24,451,825 |
| PDF Download | 17,556,862 |