بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در محفظه مثلثی | ||
| مهندسی مکانیک مدرس | ||
| Article 3, Volume 13, Issue 3, 1392, Pages 10-21 PDF (1.9 M) | ||
| Authors | ||
| علی ملک پور1; بهزاد قاسمی* 2 | ||
| 1دانشجو- دانشگاه شهرکرد | ||
| 2هیات علمی دانشگاه شهرکرد | ||
| Abstract | ||
| چکیده-در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه مثلثی شکل به روش عددی بررسی شده است. نانوسیال استفاده شده آب و مس بوده و محفظه تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت می باشد. دیوار مورب محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. اثر اعداد ریلی، هارتمن، درصد حجمی نانوذرات، طول و موقعیت منبع حرارتی بر میدان جریان و دما و نرخ انتقال حرارت بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که افزایش عدد هارتمن باعث کاهش سرعت جریان داخل محفظه شده و انتقال حرارت را کاهش می دهد و افزایش درصد حجمی نانوذرات عموما باعث افزایش انتقال حرارت می شود ولی تغییرات آن در اعداد ریلی و هارتمن متفاوت یکسان نمی باشد. علاوه بر اینکه موقعیت منبع حرارتی در کف محفظه بر نرخ انتقال حرارت از محفظه تاثیر بسزایی دارد. | ||
| Keywords | ||
| نانوسیال; جابجایی آزاد; محفظه مثلثی; میدان مغناطیسی | ||
|
Statistics Article View: 3,308 PDF Download: 4,409 |
||